QST（Qromis Substrate Technology）基板技術透過與氮化鎵（GaN）磊晶層更佳的熱膨脹係數（CTE）匹配性，有效改善晶圓翹曲問題。世界先進（VIS）選擇 QST 基板而非碳化矽（SiC）基板，主要考量到 QST 基板在降低晶圓翹曲方面的優勢，這對於高功率密度電子元件的量產至關重要。
由於 QST 基板與氮化鎵磊晶層的熱膨脹係數更匹配，因此在磊晶製程中產生的熱應力較小，從而減少了晶圓翹曲的風險。世界先進與 Kyma 及 Qromis 合作，正是看中了 QST 基板在這方面的優勢，能夠在高功率密度電子元件市場上更具競爭力。此外，使用 QST 基板有助於簡化生產流程，進一步降低製造成本。
世界先進鎖定高功率密度的電子元件市場，如高鐵、電動車等應用領域，這些領域對元件的可靠性和效能要求極高。雖然第三類半導體（包括氮化鎵）目前在全球半導體產值中佔比不高，但 QST 基板的成本效益優勢及其在改善晶圓翹曲方面的能力，使其在新興應用市場中更具吸引力，有助於推動氮化鎵技術的廣泛應用。
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