根據格棋化合物半導體的數據，全球碳化矽功率元件市場預計到2030年將超過103億美元。此外，從2024年到2030年，年複合成長率預計將達到20.3%，顯示該市場具有巨大的成長潛力。
格棋化合物半導體專注於碳化矽（SiC）的晶體生長和晶圓製造，旨在成為非中國供應鏈中的關鍵供應商，以滿足歐美和日本公司對碳化矽材料的需求。該公司通過自主開發的晶體生長設備進入市場，並與國家中山科學研究院合作開發用於高頻通信的碳化矽元件，進一步鞏固其市場定位。
格棋的產品包括晶錠、晶圓和外延晶圓，目前主要量產的產品是6吋平台。該公司已完成8吋晶種生長和熱場模組設計的初步驗證，並正在試產12吋晶圓。格棋看好散熱基板市場，並計劃鎖定先進封裝基板，將碳化矽作為高效能晶片的潛在散熱材料。預計今年第四季，日韓客戶將開始增加訂單量，主要應用於電動車和車用雷達，並且準備接收來自美國的大量訂單。
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