雙槍聚焦離子束電子顯微鏡（Dual Beam FIB-SEM）如何結合FIB和SEM技術？

雙槍聚焦離子束電子顯微鏡（Dual Beam FIB-SEM）技術整合

雙槍聚焦離子束電子顯微鏡（Dual Beam FIB-SEM）結合了聚焦離子束（FIB）與掃描電子顯微鏡（SEM）兩種技術，提供微觀結構的高解析度成像與分析能力。FIB 技術利用離子束精確移除或切割樣品，從而觀察其內部結構，而 SEM 則用於提供高解析度的表面成像。這種結合使得研究人員能夠在奈米尺度上精確製備和分析樣品，實現對材料內部結構的深度觀察。

FIB-SEM 在半導體檢測的應用

在半導體檢測領域，雙槍 FIB-SEM 廣泛應用於缺陷分析、結構表徵及製程改進。例如，汎銓科技竹北 SAC-TEM 廠房引進的雙槍 FIB-SEM，主要用於滿足埃米世代（1埃米 = 10 的負 10 次方米）的高階檢測需求，特別是在 2 奈米以下的 A16（1.6 奈米）、A14（1.4 奈米）等先進製程中，能精確觀察和分析半導體材料的微觀結構。

汎銓科技的先進製程檢測布局

汎銓科技積極投資於先進製程檢測，具備埃米世代的檢測能力。除了雙槍 FIB-SEM 外，竹北 SAC-TEM 廠房還計劃引進「球面像差修正穿透式電子顯微鏡」（SAC-TEM），以進一步強化其在高階檢測領域的競爭力。隨著 2 奈米製程即將量產，汎銓透過這些先進設備和技術，能為晶圓代工大廠、IC 設計及封測業者提供更精確、更快速的檢測服務，助力客戶提升產品良率和性能。