除了SK海力士和三星，美光科技正積極擴張，成為高頻寬記憶體（HBM）市場的潛在競爭者。美光以18億美元收購力積電位於苗栗銅鑼的P5晶圓廠，主要目的是擴大DRAM產能，以應對AI需求激增。由於HBM生產所需的晶圓產能是標準型DRAM的2到3倍，美光現有的無塵室空間受限，使其HBM產能擴張速度相對較慢。收購已建好無塵室的力積電P5廠，可節省至少一年半的時間，加速其產能擴張。
這次收購對美光具有重要的戰略意義。首先，它能及時補充美光在HBM市場上的產能缺口，滿足關鍵客戶的需求。其次，透過預約力積電的HBM後段晶圓製造（PWF）產能，美光將力積電納入其HBM供應鏈，強化其在AI晶片市場的競爭力。此外，美光還將協助力積電精進現有利基型DRAM製程技術，可能將20奈米以下的DRAM製程技術移轉給力積電，這將有助於力積電解決製程障礙，快速切入市場需求強勁的DDR4產品。
對於力積電而言，此次交易不僅能擺脫P5廠的財務包袱，還能深化與美光的戰略合作。力積電的P5廠主要生產成熟邏輯製程，但因中國同業的價格競爭導致訂單不足，產能利用率偏低。透過出售廠房，力積電可大幅減少成熟製程的虧損。此外，與美光的合作將有助於力積電提升其在利基型記憶體領域的技術能力，並進入HBM供應鏈，為其未來發展帶來新的成長機會。
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