除了極紫外光刻機(EUV)之外,中國在多個半導體關鍵技術領域也展現出快速進展的跡象。根據路透社的報導,中國科學家在逆向工程仿製ASML的EUV光刻機方面取得了突破,儘管還面臨量產和精密光學系統的挑戰,但已顯示其在半導體自主道路上的一大進展。此外,中國在以下領域也展現出顯著的技術提升:
儘管中國在多個半導體領域取得了進展,但仍面臨許多挑戰,包括技術瓶頸、人才短缺、以及來自美國及其盟友的出口管制。然而,中國政府將半導體自給自足列為首要政策目標,並投入大量資源支持相關研發。隨著技術的持續發展和產業鏈的完善,中國有望在半導體領域取得更大的突破,並在全球半導體產業中扮演更重要的角色。
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