AI晶片需求的爆炸性成長對半導體產業的供需格局產生了顯著的影響。尤其是輝達和雲端業者對AI晶片的需求，使得HBM（高頻寬記憶體）成為關鍵零組件。然而，HBM的生產對晶圓產能的消耗極大，大約是標準型DRAM的2到3倍。這導致了產能排擠效應，使得DRAM市場供不應求。
為了應對HBM的供不應求，美光科技迅速採取行動，以18億美元收購力積電位於苗栗銅鑼的P5晶圓廠。這項交易不僅能讓美光節省一年半的建廠時間，還能加速其DRAM產能的擴張，預計從2027年下半年起顯著貢獻DRAM晶圓產能。對於力積電而言，出售銅鑼廠不僅能擺脫財務包袱，還能深化與美光的戰略合作，提升其在記憶體技術領域的競爭力。
美光除了預約力積電的HBM後段晶圓製造產能外，還將協助力積電精進現有利基型DRAM製程技術，這有助於力積電切入20奈米以下的技術節點。儘管各家大廠都在積極擴廠，但由於產能開出需要時間，且AI需求持續增加，短期內記憶體市場仍將呈現供需失衡的局面。
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