長鑫存儲進軍HBM市場的主要策略是什麼？

長鑫存儲進軍HBM市場的主要策略

長鑫存儲正積極擴張其DRAM產能，旨在提升市場競爭力並應對美國出口管制帶來的挑戰。其策略主要包括技術升級和產能擴張。公司計劃從17/18奈米的DDR4及LPDDR4記憶體，推進到最新的12奈米DDR5及LPDDR5X，同時積極進軍高頻寬記憶體（HBM）市場，以滿足AI技術快速發展所帶來的需求。

技術與產能擴張目標

長鑫存儲設定了明確的產能擴張目標，包括在2022年達到月產能7萬片DRAM，2024年快速成長至20萬片，並計劃未來進一步擴增至月產能30萬片。此外，公司也致力於技術升級，透過研發相關技術並購買必要設備，積極應對潛在制裁風險，加速投入HBM國產化。

面臨的挑戰與風險

儘管長鑫存儲在HBM市場具有潛力，但也面臨諸多挑戰。例如，合肥廠近期發生的人為疏失導致數萬片晶圓報廢，對其生產良率及品質管控造成重大影響。此外，HBM市場長期由三星及SK海力士等大廠主導，長鑫存儲能否在技術和市場上取得突破，仍存在不確定性。