長鑫存儲的DRAM產能擴張計畫，各階段的具體目標產量是多少？ | 數位時代

長鑫存儲DRAM產能擴張階段性目標

長鑫存儲的DRAM擴產計畫旨在提升其市場競爭力，應對美國出口管制帶來的挑戰。該公司的具體目標包括：

• 2022年： 月產能達到7萬片DRAM。
• 2024年： 月產能快速成長至20萬片。
• 未來目標： 計畫進一步擴增至月產能30萬片。

此外，長鑫存儲也致力於技術升級，從17/18奈米的DDR4及LPDDR4記憶體，推進到最新的12奈米DDR5及LPDDR5X，並積極進軍高頻寬記憶體（HBM）市場。

擴產計畫的背景與挑戰

長鑫存儲的擴產計畫與中國半導體產業積極推動國產化的背景密切相關，尤其是在美國出口管制日益嚴格的背景下。然而，合肥廠近期發生的人為疏失導致數萬片晶圓報廢，對其生產良率及品質管控造成重大影響，突顯了其在加速擴張和技術轉型過程中面臨的挑戰。

HBM市場的潛力與風險

隨著AI技術的快速發展，HBM市場備受關注，但也長期由三星及SK海力士等大廠主導。長鑫存儲已開始研發相關技術並購買必要設備，積極應對潛在制裁風險，並加速投入HBM國產化。然而，長鑫存儲能否在技術和市場上取得突破，仍面臨諸多挑戰。

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