英特爾的 18A 製程導入了 RibbonFET 和 PowerVia 兩項關鍵技術，這些技術旨在提高晶片效能並降低功耗。RibbonFET 是一種 GAAFET（全環繞閘極場效電晶體）結構，這種結構能夠更有效地控制電流，相較於傳統的平面型和三面 FinFET 電晶體結構，四面環繞的閘極可以提供更佳的電晶體效能。PowerVia 則是一種背面供電設計，將供電線路移至晶片背面，使正面佈線能更專注於資料與訊號傳輸，從而優化晶片效能。
RibbonFET 的主要創新在於其閘極結構，它從四周包覆電流通道。這種設計使得閘極能夠更有效地控制電晶體的開關，從而提高電晶體的效能和效率。相較於傳統的 FinFET 結構，RibbonFET 能夠提供更佳的電流控制能力，這有助於降低功耗並提高晶片效能。此外，RibbonFET 的結構也有助於縮小電晶體的尺寸，從而提高晶片的集成度。
PowerVia 的主要創新在於其背面供電設計。傳統的晶片設計中，供電線路通常位於晶片的正面，這會佔用寶貴的佈線空間，並可能導致訊號干擾。PowerVia 將供電線路移至晶片的背面，從而釋放了正面的佈線空間，使得訊號線路可以更有效地佈局。這種設計有助於提高晶片效能，並降低訊號干擾。此外，PowerVia 的設計也有助於降低晶片的功耗，因為供電線路可以更直接地連接到電晶體。
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