美光計劃以其 1β 製程作為 HBM3e 以及下一代 HBM4 的主要技術基礎。這表示 HBM4 將建構在美光現有的 1β 製程之上，並進一步優化以滿足 HBM4 的效能需求。
美光預計 HBM4 將於 2026 年開始量產。如果一切順利，市場將在 2026 年看到搭載美光 HBM4 產品的裝置問世。這將使美光能夠參與下一代高效能運算和人工智慧應用的市場競爭。
美光科技在 DRAM 製程技術上持續精進。儘管 EUV 微影技術已被其他競爭者採用，美光選擇在 1γ (gamma) DRAM 製程中首次導入該技術，以提升位元密度、效能和降低功耗。1γ 製程將首先應用於 16GB DDR5 DRAM 產品，並逐步擴展到其他產品組合。
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