美光 HBM3e 和 HBM4 高頻寬記憶體的製程技術基礎為何？

美光 HBM3e 和 HBM4 高頻寬記憶體製程技術基礎

美光科技在高頻寬記憶體（HBM）領域的發展，現階段以 1β 製程作為 HBM3e 及下一代 HBM4 的主要技術基礎。儘管最新的 1γ DRAM 製程已導入 EUV 微影技術，但 HBM 產品線仍以較成熟的 1β 製程為主。美光預計 HBM4 將於 2026 年量產，HBM4E 則預計在 2027~2028 年亮相。

EUV 微影技術的角色

美光在 1γ DRAM 製程中首次採用了極紫外光（EUV）微影技術，這是基於第六代 10 奈米等級的產品。EUV 技術能夠實現更高密度的電路佈局，縮小晶片尺寸，提高位元密度、效能並降低功耗。與前一代製程相比，採用 EUV 技術後，每片晶圓的位元產出量增加了 30% 以上，同時資料傳輸速率提升了 15%，功耗節省超過 20%。

美光 DRAM 製程技術的進展

1γ 製程是美光首次採用 EUV 微影技術，將首先應用於 16GB DDR5 DRAM 產品，並逐步整合到其他產品組合中。目前，1γ 製程的 DDR5 將由日本廣島廠與台灣廠共同生產。至於資料中心 AI 運算所需的高頻寬記憶體（HBM），美光現階段仍以 1β 製程為 HBM3e 及下一代 HBM4 的主要技術基礎。