根據格棋化合物半導體提供的資料，碳化矽功率元件市場預計在2030年將突破103億美元。此外，2024年至2030年的年均複合成長率預計將達到20.3%，顯示市場具備高度成長潛力。
格棋化合物半導體專注於碳化矽（SiC）的長晶與晶圓製造，目標成為非中國供應鏈中的關鍵供應商，以滿足歐美和日系業者對碳化矽材料的需求。透過自研長晶設備切入市場，並與國家中山科學研究院合作開發高頻通訊用碳化矽元件，進一步鞏固其市場定位。
格棋的產品包括晶錠、晶圓和磊晶完成的晶圓，目前主要量產產品為6吋平台。公司已完成8吋晶種長晶與熱場模組設計的前期驗證，並正在試產12吋晶圓。格棋看好散熱載板市場，計劃鎖定先進封裝基板，將碳化矽作為高效能晶片散熱的潛在材料。預計今年第四季日韓客戶將開始放量，主要應用於電動車與車用雷達，並準備接下一筆銷往美國的大單。
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