EUV（極紫外光）曝光顯影製程對環境的一致性有著極端嚴苛的要求，這與特斯拉創辦人馬斯克對未來晶圓廠可能不再需要無塵室的預測形成對比。台灣科技專家許美華指出，EUV 製程對環境的嚴格要求是馬斯克未充分考慮的。
在 EUV 製程中，溫度的微小變化都可能對製程結果產生顯著影響。精密的溫度控制系統是確保製程穩定性的關鍵，因為溫度波動可能導致晶圓膨脹或收縮，進而影響曝光的精準度。
濕度控制同樣至關重要。濕度過高可能導致晶圓表面形成水膜，影響光刻膠的均勻性和黏附性，從而產生缺陷。因此，晶圓廠需要維持極低的濕度水平，以確保晶圓在曝光過程中不受干擾。
由於 EUV 製程使用極短波長的光源，任何震動都可能對製程結果產生重大影響。防震措施，如使用減震平台和穩定的設備基座，是確保曝光過程中晶圓不受到外部震動干擾的必要手段。
EUV 曝光顯影製程需要在高度淨化的無塵室中進行，以避免微粒對晶圓造成損害。任何微小的汙染都可能導致晶片缺陷，進而影響良率與效能。因此，嚴格的空氣過濾系統和定期的清潔維護是保持無塵室潔淨度的關鍵。
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