汎銓科技透過整合雙槍聚焦離子束電子顯微鏡(Dual Beam FIB-SEM)技術,強化其在先進製程檢測市場的競爭力。此技術結合了聚焦離子束(FIB)和掃描電子顯微鏡(SEM),提供高解析度的微觀結構成像和分析能力。FIB 技術精確移除或切割樣品,以便觀察內部結構,而 SEM 則提供高解析度的表面成像。這種整合使得汎銓科技能夠在奈米尺度上精確製備和分析樣品,深入觀察材料的內部結構,進而提升檢測的精確度和效率。
雙槍 FIB-SEM 在半導體檢測領域被廣泛應用於缺陷分析、結構表徵及製程改進。汎銓科技竹北 SAC-TEM 廠房引進的雙槍 FIB-SEM,旨在滿足埃米世代(1埃米 = 10 的負 10 次方米)的高階檢測需求。特別是在 2 奈米以下的 A16(1.6 奈米)、A14(1.4 奈米)等先進製程中,此設備能夠精確觀察和分析半導體材料的微觀結構。透過這項技術,汎銓科技能夠更有效地協助客戶解決先進製程中的挑戰,提升產品的良率和性能。
汎銓科技積極投資於先進製程檢測,具備埃米世代的檢測能力,顯示其對未來市場的高度重視。除了雙槍 FIB-SEM 外,竹北 SAC-TEM 廠房還計劃引進「球面像差修正穿透式電子顯微鏡」(SAC-TEM),以進一步強化其在高階檢測領域的競爭力。隨著 2 奈米製程即將量產,汎銓透過這些先進設備和技術,為晶圓代工大廠、IC 設計及封測業者提供更精確、更快速的檢測服務。此策略不僅鞏固了汎銓在市場上的地位,也為其在先進製程檢測領域的持續發展奠定了堅實的基礎。
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