格棋化合物半導體中壢新廠的落成，象徵著其碳化矽（SiC）長晶技術從研發階段正式邁入商業量產。初期規劃的百台6吋長晶爐及20台8吋長晶爐，預計每月可生產5,000片6吋晶圓，這不僅代表產能的大幅提升，更是格棋在碳化矽市場中擴大影響力的重要一步。
新廠的設立加速了格棋的技術升級。鑑於碳化矽市場由6吋向8吋晶圓轉移的趨勢，格棋已積極投入8吋技術的研發，並計劃在明年開始量產。格棋掌握了熱場設計、籽晶沾黏、原料粒徑及碳矽比控制等關鍵長晶技術，使其在新一代碳化矽技術的競爭中佔據有利位置。
透過與國家中山科學研究院（中科院）及日本三菱綜合材料商貿的合作，格棋正積極擴展其市場版圖。與中科院的合作將開發用於5G/B5G通訊、車用及微波通訊晶片的高頻通訊碳化矽元件。與三菱綜合材料商貿的合作有助於將產品推向日本市場，擴大其全球市場份額。同時，基於地緣政治的考量，格棋有望成為歐美企業尋求非中國供應鏈的關鍵合作夥伴。
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