晶背供電（BSPDN）技術被視為先進半導體製程中的關鍵突破，尤其是在 2 奈米以下的埃米（angstrom）世代。這項技術的核心概念是將晶圓正面的電源供應網路轉移到背面，有效地分離供電和訊號傳輸。這樣的設計不僅提升了供電效率，還釋放了晶圓正面的寶貴空間，為更複雜的電路設計創造了可能性。
晶圓薄化是實現晶背供電技術不可或缺的一環。透過將晶圓背面打磨至極薄的程度，可以直接對電晶體供電。傳統的訊號和供電網路佈線在矽晶圓的正面，隨著電晶體密度增加和堆疊層數增多，供電線路佔用了大量空間，且電力傳輸經過層層堆疊也會導致損耗。因此，通過晶圓薄化，將供電網路移至背面，可以有效解決這些問題。
目前，台積電、英特爾和三星等半導體巨頭都在積極開發晶背供電解決方案。台積電的 A16 製程結合了晶背供電「超級電軌」技術，預計 2026 年量產。這也為台灣廠商帶來了新的機會。與晶圓薄化製程相關的業者和檢測設備廠有望受益。例如，中砂 (1560) 作為再生晶圓及鑽石碟大廠，其鑽石碟產品在晶圓研磨中扮演重要角色；昇陽半導體 (8028) 主要業務為再生晶圓代工和晶圓薄化，並投入「承載晶圓」研發；天虹 (6937) 則提供原子層沉積檢測（ALD）機台解決方案，這也是實現晶背供電技術的重要一環。
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