晶背供電（BSPDN）技術旨在將晶圓正面的電源供應網路轉移至背面，從而將供電和訊號線路分離，優化供電效率並釋放晶圓正面空間。在埃米級製程中，此技術被視為關鍵。而晶圓薄化正是實現晶背供電技術突破的必要步驟。
晶圓薄化是指將晶圓背面研磨至極薄，以實現直接對電晶體供電。傳統上，訊號和電源線路都佈置在矽晶圓正面，但隨著電晶體密度增加，供電線路佔用了大量空間，並因層層堆疊而造成電力傳輸損耗。透過晶圓薄化，將供電網路移至背面，能有效緩解這些問題，縮短電源路徑，降低電阻，進而提高供電效率。
目前，台積電、英特爾和三星等大廠正積極開發晶背供電解決方案。台積電的 A16 製程結合了晶背供電「超級電軌」技術，預計在 2026 年量產。隨著晶背供電技術的發展，與晶圓薄化製程相關的廠商，以及檢測設備製造商有望受益。例如，中砂（1560）的鑽石碟產品在晶圓研磨中扮演重要角色；昇陽半導體（8028）專注於再生晶圓代工和晶圓薄化，並投入「承載晶圓」研發；天虹科技（6937）則提供原子層沉積（ALD）檢測機台解決方案，這也是實現晶背供電技術的關鍵環節。
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