微矽電子在氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）的測試技術上領先同業多少年？

微矽電子氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）測試技術領先程度

根據報導，微矽電子在氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）的測試、薄化與切割技術上，領先同業約 3 至 5 年。這項領先地位是經過 10 年的研發努力才達成的，初期開發相當辛苦，但微矽電子成功掌握了第三代半導體的均勻度和良率，使其測試與切割技術具有較高的技術含量。

投入第三代半導體的原因

微矽電子策略性投入第三代半導體測試的原因有二：首先，有半導體大廠的協助。更重要的是，第三代半導體的測試毛利高達六成，這對微矽電子來說是一個相當大的誘因。該公司已切入全球市占率最高的氮化鎵大廠 Navitas 以及英飛凌（Infineon）的供應鏈，並擴及 MOSFET、IGBT 以及微控制器（MCU）等封裝測試產品線。

第三代半導體市場前景

集邦科技預估，第三代半導體市場將從 2021 年的 9.8 億美元成長至 2025 年的 47.1 億美元，年複合成長率高達 48%。微矽電子看好氮化鎵的發展，認為其應用將從快速充電器擴散至資料中心 AI 伺服器、無人機以及電動車等領域。該公司也已啟動擴建計畫，預期 2024 年第三季竹南廠房擴充將全數完工，主要針對第三代半導體的擴產。