在美國嚴格的出口管制下，中國成功研發出極紫外光刻機（EUV）原型機，這項技術被視為生產先進晶片的關鍵。該原型機於2025年初完成，目前正在深圳一座高度戒備的實驗室進行測試，體積龐大，幾乎佔滿整個樓層。此舉被視為中國在半導體自主道路上的一大進展，可能比分析師預期的時間更早實現。
據報導，該EUV原型機是由前艾司摩爾（ASML）工程師團隊逆向工程仿製而成。該團隊通過在二手市場上取得的舊款ASML設備零件，成功打造出這台國產原型機。儘管中國在複製西方供應商生產的高精密光學系統方面仍面臨重大技術挑戰，但此項突破顯示中國有能力克服部分技術障礙。中國政府設定的目標是在2028年前以這套設備製造出可用晶片，但更現實的時間點可能落在2030年。
中國科技巨擘華為在該項目中扮演了關鍵的協調角色，串聯全國數千名工程師、企業與國家研究機構。此項目被形容為中國版的「曼哈頓計畫」，目標是實現中國完全自主生產先進晶片，擺脫對美國供應鏈的依賴。儘管面臨美國及其盟友的技術封鎖，中國正透過多方努力，加速實現半導體產業的自給自足。
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