台積電CoWoS先進封裝技術有哪些類型？CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L的主要差異是什麼？

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台積電CoWoS先進封裝技術類型與差異

台積電的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是一種先進封裝技術，旨在將不同類型和製程節點的晶片整合到同一個晶片上，以縮短晶片間的溝通距離、降低延遲，並提升效能和功耗表現。CoWoS技術可拆解為「CoW」（晶片堆疊）和「WoS」（晶片堆疊於基板上），即將晶片堆疊起來再封裝於基板上。目前CoWoS共有三種類型：CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L，它們的主要差異在於中介層使用的材料。

CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L的主要差異

CoWoS-S： 使用矽中介層（Silicon Interposer），是台積電最早推出的CoWoS技術，也是目前生產中的主流類型。矽中介層採用矽穿孔技術，成本較高，且材料特性較為脆弱，尺寸放大後良率較難達標。
CoWoS-R： 使用重分佈層（Redistribution Layer, RDL）取代矽中介層，以降低成本並提高封裝尺寸的彈性。RDL中介層由聚合物與銅線構成，具備較高的彈性，適用於網通設備和邊緣AI等產品。
CoWoS-L： 結合了矽中介層和重分佈層的優點，局部區域使用矽中介層（Local Silicon Interconnect, LSI）串連晶片，其他區域則使用重佈線層，提供高度靈活的整合能力。CoWoS-L可堆疊的HBM數量較多，成本介於CoWoS-S和CoWoS-R之間。

CoWoS技術的發展趨勢

台積電持續擴充CoWoS產能，預計2022年至2026年CoWoS產能年複合成長率將超過50%。其中，CoWoS-L產品線預計將有顯著成長，主要受到輝達等高效能運算客戶的需求推動。CoWoS技術不僅應用於AI領域，未來也將逐漸擴展到更多非AI應用。此外，設備業者也積極推動CoWoS面板化的「CoPoS」技術，旨在透過「化圓為方」提升面積利用率與產能。

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