第三類半導體的製造與封測技術門檻主要來自材料特性、製程經驗，以及後端封裝技術。相較於傳統矽製程，第三類半導體雖然材料層數較少，看似複雜度較低，但因材料特性差異大，每一步疊加都面臨挑戰。台灣在矽的製造和封測製程上累積了豐富的技術，長期來看，可將這些經驗應用於第三類半導體。例如，台灣封裝產業在功率元件方面已累積許多以矽為基礎的IGBT封裝測試技術，這些技術可相對容易轉移到第三類半導體。
台灣在發展第三類半導體產業時，可從矽製程的經驗中學習，尤其在製造和封裝測試方面。台灣可借重過去在矽微影、薄膜、蝕刻等製程的基礎，以解決材料上的挑戰。此外，台灣IC設計業者應與晶圓代工廠密切合作，確保設計出的產品能夠有相對應的製程，才能成功製造出元件。
台灣在技術研發方面具有速度快、成本低的優勢。結合過去矽的產業聚落，即使起步較晚，仍有機會在量產時迎頭趕上。因此，台灣應善用既有矽製程的經驗與技術基礎，加速在第三類半導體的研發與量產，同時加強IC設計業者與晶圓代工廠的合作，以提升整體競爭力。
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