在美國的出口管制下，中國成功開發出極紫外光刻機（EUV）原型機，這項技術對先進晶片的生產至關重要。這個原型機於2025年初完成，目前正在深圳一個高度安全的實驗室進行測試，其體積龐大，幾乎佔據了整個樓層。這項進展被視為中國在半導體自主道路上的一大步，可能比分析師預期的時間更早實現。
據報導，該EUV原型機是由前艾司摩爾（ASML）工程師團隊通過逆向工程仿製而成。他們通過在二手市場上採購舊款ASML設備的零件，成功打造出這台國產原型機。儘管中國在複製西方供應商生產的高精密光學系統方面仍面臨重大的技術挑戰，但這一突破顯示出中國有能力克服部分技術障礙。中國政府的目標是在2028年前使用這套設備製造出可用的晶片，但更現實的時間點可能落在2030年。
中國科技巨頭華為在該項目中扮演了關鍵的協調角色，將全國數千名工程師、企業和國家研究機構聯繫起來。這個項目被形容為中國版的「曼哈頓計畫」，目標是實現中國完全自主生產先進晶片，擺脫對美國供應鏈的依賴。儘管面臨美國及其盟友的技術封鎖，中國正通過多方努力，加速實現半導體產業的自給自足。
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