三星在 3 奈米製程中採用 GAA（Gate-All-Around）架構，這項技術旨在提高晶體管密度和能源效率。然而，GAA 架構的實施帶來了多項技術挑戰，直接影響良率。具體而言，通道控制的精確度、薄膜沉積的均勻性以及蝕刻過程的控制是主要的瓶頸。GAA 需要極其精確地控制奈米線或奈米片的尺寸和形狀，以確保所有晶體管的性能一致。任何微小的偏差都可能導致電氣特性變化，從而降低良率。
在 GAA 製程中，薄膜沉積的均勻性至關重要。由於 GAA 結構的複雜性，確保在整個晶圓上均勻沉積薄膜變得非常困難。不均勻的薄膜厚度會導致晶體管性能不一致，進而影響整體良率。此外，蝕刻過程也面臨挑戰。GAA 的蝕刻需要高度選擇性和精確性，以避免損害周圍的結構。蝕刻不足或過度都可能導致晶體管失效，從而降低良率。
除了上述挑戰外，材料的選擇和整合也是影響 GAA 3 奈米製程良率的關鍵因素。新的材料組合可能需要調整現有的製程參數，這增加了製程開發的複雜性。例如，使用不同的介電材料或金屬閘極材料可能需要優化沉積、蝕刻和退火步驟。此外，確保不同材料之間的界面質量也是一個挑戰，因為界面缺陷會影響晶體管的性能和可靠性。
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