Substrate 的「粒子加速技術」將如何顛覆傳統的 EUV 光刻製程？

Substrate 的「粒子加速技術」與傳統 EUV 光刻製程的差異

新創公司 Substrate 成立於 2022 年，目標是挑戰 ASML 在曝光機市場的領導地位。他們正在開發一種「緊湊型 EUV 曝光系統」，並計劃在美國建立晶圓廠，預計 2028 年開始量產。Substrate 的技術細節尚未完全公開，但與 ASML 的技術存在根本差異。

技術原理的推測差異

Substrate 聲稱其 EUV 系統採用「超短波長雷射」，而 ASML 的 EUV 系統使用基於電漿產生的 13.5 奈米波長光源。Substrate 採用「粒子加速技術」進行晶片曝光，這與 ASML 使用 EUV 光源穿過光罩，將電路圖案投射到晶圓上的傳統光刻製程不同。此外，Substrate 似乎計劃以垂直整合模式自行投片和量產晶片，而不是將設備出售給代工廠。

潛在優勢與挑戰

Substrate 聲稱其技術可以克服傳統 EUV 路線的瓶頸，並大幅降低曝光成本。然而，先進曝光技術的研發與量產門檻極高。ASML 花費了數十年和數百億美元才實現 EUV 技術的大規模導入。Substrate 的目標是在三年內建成複雜且資本密集的半導體供應鏈，這也引發了外界對其目標是否過於激進的質疑。儘管如此，如果 Substrate 的技術能夠成功，將有助於美國在地製造與供應鏈安全，並重塑產業結構。