Substrate 聲稱的「超短波長雷射」與 ASML 的 13.5 奈米 EUV 光源有何不同？

Substrate 聲稱的「超短波長雷射」與 ASML 的 13.5 奈米 EUV 光源之差異

Substrate 是一家新創公司，旨在挑戰 ASML 在曝光機市場的領導地位。他們聲稱正在開發一種「緊湊型 EUV 曝光系統」，並計畫在美國建立晶圓廠，目標於 2028 年開始量產。雖然 Substrate 並未完全公開其技術細節，但根據現有資訊，可以推斷出其與 ASML 技術的根本差異。

技術原理的差異推測

Substrate 聲稱其 EUV 系統採用「超短波長雷射」，而 ASML 的 EUV 系統則使用基於電漿產生的 13.5 奈米波長光源。Substrate 採用「粒子加速技術」來進行晶片曝光，這與 ASML 使用 EUV 光源穿過光罩，將電路圖案投射到晶圓上的傳統光刻製程有所不同。值得注意的是，Substrate 似乎並未打算將設備出售給代工廠，而是計劃以垂直整合模式自行投片、量產晶片。

潛在優勢與面臨的挑戰

Substrate 聲稱其技術可以克服傳統 EUV 路線的瓶頸，並大幅降低曝光成本。然而，業界專家普遍認為先進曝光技術的研發與量產門檻極高，ASML 花費了數十年和數百億美元才實現 EUV 技術的大規模導入。Substrate 的目標是在三年內建成複雜且資本密集的半導體供應鏈，因此也遭到外界質疑過於激進。儘管如此，Substrate 的技術若能成功，將有助於美國在地製造與供應鏈安全，並可能重塑產業結構。