Substrate 的「緊湊型 EUV 曝光系統」與 ASML 的 EUV 技術在原理上有何根本差異？

Substrate 的緊湊型 EUV 曝光系統與 ASML 技術之關鍵差異

Substrate 是一家新創公司，成立於 2022 年，旨在挑戰艾司摩爾 (ASML) 在曝光機市場的主導地位。他們宣稱正在開發一種「緊湊型 EUV 曝光系統」，目標是在美國建立自己的晶圓廠，並於 2028 年開始量產。儘管 Substrate 並未完全揭露其技術細節，但從現有資訊可以推斷出一些與 ASML 技術的根本差異。

技術原理差異推測

Substrate 聲稱其 EUV 系統採用「超短波長雷射」，而 ASML 的 EUV 系統則使用基於電漿產生的 13.5 奈米波長光源。這意味著 Substrate 可能正在探索一種與傳統 EUV 不同的光源產生方法。此外，Substrate 採用「粒子加速技術」來進行晶片曝光。這與 ASML 使用 EUV 光源穿過光罩，將電路圖案投射到晶圓上的傳統光刻製程有所不同。Substrate 的方法可能涉及將帶電粒子加速到極高的速度，然後以某種方式將其用於在晶圓上創建圖案。值得注意的是，Substrate 似乎並未打算將設備出售給代工廠，而是計劃以垂直整合模式自行投片、量產晶片。這代表他們可能正在尋求一種更具控制力和靈活性的生產模式。

潛在優勢與挑戰

Substrate 聲稱其技術可以克服傳統 EUV 路線的瓶頸，並大幅降低曝光成本。這可能源於其不同的光源產生方法和光刻技術。然而，業界專家普遍認為先進曝光技術的研發與量產門檻極高，ASML 花費了數十年和數百億美元才實現 EUV 技術的大規模導入。Substrate 的目標是在三年內建成複雜且資本密集的半導體供應鏈，因此也遭到外界質疑過於激進。儘管如此，Substrate 的技術若能成功，將有助於美國在地製造與供應鏈安全，重塑產業結構。這也可能為半導體製造帶來更多創新和競爭。