Nvidia Blackwell 系列晶片之所以選擇 CoWoS-L 製程，主要是因為 CoWoS-L 結合了矽中介層 (Silicon Interposer) 和重分佈層 (Redistribution Layer, RDL) 的優勢，能提供高度靈活的整合能力。這種結合使得 Blackwell 晶片在效能和成本效益之間取得平衡，滿足其高端應用的需求。
CoWoS-L 的獨特之處在於其局部矽中介層 (Local Silicon Interconnect, LSI) 的應用。在晶片關鍵區域，CoWoS-L 使用 LSI 來串連晶片，保證了高效能的資料傳輸和互連。而在其他區域，則使用重佈線層 (RDL) 來降低成本並增加設計彈性。這種混合結構使得 Blackwell 晶片能夠在保持高性能的同時，降低整體製造成本。
Blackwell 晶片作為 Nvidia 的旗艦產品，對效能和整合度有極高的要求。CoWoS-L 製程能夠滿足這些要求，實現更緊密的晶片整合和更高效的效能表現。此外，CoWoS-L 的高度靈活性也允許 Nvidia 在設計上進行更多的創新，進一步提升 Blackwell 晶片的競爭力。透過局部使用矽中介層，確保關鍵區域的效能，同時利用重佈線層來降低成本，CoWoS-L 成為 Blackwell 晶片的不二之選。
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