NAND Flash之所以能在成本效益上超越DRAM，主要歸功於其獨特的可堆疊性。與DRAM相比，NAND Flash可以透過垂直堆疊多層儲存單元，顯著提高儲存密度，而無需大幅增加晶片面積。這種堆疊技術使得NAND Flash在單位成本上的容量擴展更具效率，尤其是在面對大數據時代對儲存容量的爆炸性需求時，NAND Flash的成本優勢更加明顯。
在人工智慧（AI）和大數據時代，資料儲存的需求發生了根本性的轉變。傳統上，DRAM以其快速的讀寫速度在運算過程中扮演重要角色，但隨著資料量的急劇增加，DRAM的高成本和有限的容量成為瓶頸。NAND Flash憑藉其高容量和相對較低的成本，逐漸成為儲存大量資料的首選。此外，隨著技術的進步，NAND Flash的讀寫速度也在不斷提升，使其在某些應用場景中可以取代DRAM。
美光（Micron）在NAND Flash技術上的突破，特別是在堆疊技術上的創新，進一步鞏固了NAND Flash的成本效益優勢。透過與台積電（TSMC）等領先晶圓代工廠的合作，美光能夠將其先進的NAND Flash技術與高效的生產製造能力結合，進一步降低生產成本。這種合作模式不僅加速了NAND Flash技術的發展，也使其在市場上更具競爭力，進而推動NAND Flash在成本效益上超越DRAM的趨勢。
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