High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）曝光機透過提升解析度與對比度，對先進製程帶來顯著助益。其核心在於將數值孔徑從 0.33 提升至 0.55，使得晶片製造商能在相同晶片面積上實現高達 2.9 倍的電晶體密度，並提高 40% 的成像對比度。這項技術突破簡化了先進製程的工序，並有助於提升整體產能與良率。
High NA EUV 的高解析度與對比度能減少成像缺陷，簡化製程工序。艾司摩爾預估，導入 EUV 和 High NA EUV 微影系統後，到 2029 年，使用 ASML 微影技術生產每一片晶圓所使用的電力，將比傳統製程節省 200 度電。此外，High NA EUV 與現有 EUV 在設計方面具有通用性，有助於降低客戶的導入風險和研發成本。
儘管 High NA EUV 價格高昂，但艾司摩爾表示，現有的 EUV 客戶都已下訂單，顯示市場對該技術的強勁需求。艾司摩爾正與客戶緊密合作，朝 2026 年量產 High NA EUV 的目標邁進。該設備的產能預計每小時可曝光超過 185 片晶圓，將支援 2 奈米以下邏輯晶片，以及具有相似電晶體密度的記憶體晶片的量產。
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