HBM 4 時代，為何記憶體廠的 Base Die 開始採用更先進的 FinFET 製程？

HBM4 時代記憶體廠採用 FinFET 製程的原因

在 HBM（高頻寬記憶體）技術演進至第四代（HBM4）之際，記憶體製造商開始在其基礎晶片（Base Die）上採用更先進的 FinFET 製程，主要原因如下：

• 提升效能與頻寬需求： HBM4 旨在提供更高的記憶體頻寬與效能，以滿足高效能運算、人工智慧等應用需求。為了支援更快的資料傳輸速率，Base Die 需要採用更先進的製程技術，以降低功耗、提高訊號傳輸效率。
• 邏輯與記憶體整合： HBM 的設計趨勢是將記憶體與邏輯功能更緊密地整合。Base Die 不僅負責連接 HBM 堆疊，還需要處理記憶體控制、介面等邏輯功能。FinFET 製程能夠在更小的空間內實現更複雜的邏輯電路，從而提升整體效能。
• 晶圓代工廠的專業優勢： 記憶體廠在邏輯製程方面相對較弱，而台積電等晶圓代工廠在 FinFET 製程技術上具有領先優勢。透過委託晶圓代工廠生產 Base Die，記憶體廠可以借助其先進技術，縮短開發週期、降低成本，並確保產品的效能與可靠性。

記憶體廠與晶圓代工廠的合作模式轉變

HBM 的發展加深了記憶體廠與晶圓代工廠之間的合作關係。過去，記憶體廠的 Base Die 採用傳統製程生產，但隨著 HBM4 時代的到來，Base Die 開始採用更先進的 FinFET 製程，例如 12 奈米、5 奈米甚至 3 奈米的先進邏輯製程。由於記憶體廠在這方面明顯力有未逮，因此全球三大 HBM 廠 SK 海力士、美光、三星都表示有意將 Base Die 訂單委由台積電生產。

美光與台積電的合作策略

美光延攬劉德音進入董事會，被視為是為了強化與台積電的合作關係。業界人士認為，這就像搭起了一座與台積電溝通的橋樑，有助於解決技術和產能上的問題。美光希望在 HBM 的 Base Die 產量、排程及性能測試方面，深化與台積電的合作，以確保技術領先地位並提升市場競爭力。