EUV光阻為何不適用傳統離子束轟擊分析？

Question

EUV光阻材料分析面臨的挑戰

Accepted Answer

在半導體先進製程不斷推進的埃米（Ångström）尺度下，材料分析（MA）的重要性日益凸顯。透過離子束或電子束轟擊樣品進行切割與觀察，是檢測微觀結構的關鍵手段。然而，隨著製程複雜度的提升，新興材料的分析難度也隨之增加。特別是對於極紫外光（EUV）曝光製程所使用的光阻材料，其獨特的物理性質使其在傳統的離子束轟擊分析過程中面臨嚴峻挑戰。EUV光阻通常具有較為鬆軟的特性，當受到高能量的離子束轟擊時，容易發生變形甚至結構坍塌。這種樣品損傷會嚴重影響分析結果的準確性，無法真實呈現材料在製程中的原始狀態，進而阻礙了對其性能的深入理解與優化。

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