CoWoS-L如何在高頻寬記憶體方面超越CoWoS-S？

CoWoS-L 如何透過 LSI 和 RDL 實現成本優勢

CoWoS-L（Chip-on-Wafer-on-Substrate L）相較於 CoWoS-S，主要在於其成本效益和支援更多 HBM（高頻寬記憶體）堆疊的能力。CoWoS-L 透過局部矽互連（LSI）和重分佈層（RDL）的結合，在成本上更具優勢，使其成為高效能運算應用的理想選擇。這種結合不僅優化了晶片的互連密度，還降低了整體製造成本。

HBM 堆疊數量提升的優勢

CoWoS-L 的顯著優勢之一是其支援更多 HBM 堆疊的能力。CoWoS-S 最多可堆疊 8 顆 HBM，而 CoWoS-L 則能提升至最多 12 顆。這對於需要極高記憶體頻寬的應用，如人工智慧晶片，至關重要。輝達（NVIDIA）的 Blackwell 系列晶片，包括 B100、B200、B300、GB200 等，正是基於此考量選擇了 CoWoS-L 製程，以滿足其對記憶體頻寬的嚴苛需求。

產業趨勢與市場角色

CoWoS-L 不僅提供更高的 HBM 堆疊能力，同時在成本上更具競爭力，使其成為輝達等高效能運算客戶的首選。輝達執行長黃仁勳已確認，輝達的產品正逐步從 CoWoS-S 轉移至 CoWoS-L 製程。隨著台積電積極擴充 CoWoS 產能，CoWoS-L 預計將成為主要的成長動能，並在高效能運算市場中扮演更重要的角色，滿足不斷增長的 AI 和高效能運算需求。