CoPoS 技術採用方形面板重分佈層（RDL）取代傳統的圓形矽中介層，從而提升半導體製程的面積利用率。傳統的 CoWoS 技術使用圓形矽中介層，在切割和封裝過程中會產生較多的邊角料，導致材料浪費。而 CoPoS 技術透過面板化設計，將晶片排列在方形面板上，能更有效地利用面板空間，減少邊角料的產生。
CoPoS 技術允許晶片更緊密地排列，在相同的面積下容納更多的晶片，這大幅提升了生產效率。相較之下，傳統 CoWoS 技術由於圓形中介層的限制，晶片排列相對分散，面積利用率較低。
CoPoS 技術透過提升面積利用率和生產效率，進一步提升了整體產能。這種方形面板的設計不僅減少了材料浪費，還使得晶片在封裝過程中能夠更有效地利用空間，從而提高了單位面積的產出量。
This is a simplified version of the page. Some interactive features are only available in the full version.
本頁為精簡版，部分互動功能僅限完整版使用。
👉 View Full Version | 前往完整版內容