High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）技術透過將數值孔徑從 0.33 提高到 0.55，實現更高的解析度和成像精確度，使晶圓上的電路圖更精密。據稱，High-NA EUV 機台每小時可列印超過 185 個晶圓，顯著提升先進製程的產能。這對滿足市場對高性能晶片的需求至關重要，是相較於舊技術的一大突破。
台積電總裁魏哲家近期親訪 ASML 總部，引發外界對其 High-NA EUV 機台態度的猜測。儘管台積電曾認為 High-NA EUV 機台成本過高，在 2026 年前使用不具經濟效益，但這次拜訪顯示台積電可能希望透過購買 High-NA EUV，鞏固其在半導體產業的主導地位，並為 2 奈米製程的競爭提早準備。這可能是台積電在先進製程領域保持領先，應對競爭對手挑戰的策略。
台積電的主要競爭對手如英特爾和三星，也在積極爭奪 High-NA EUV 機台。首批 High-NA EUV 機台已送往英特爾晶圓代工部門，計劃在 1.8 奈米製程中試用，並在 1.4 奈米製程中正式導入。三星電子會長李在鎔也曾拜訪 ASML 執行長，尋求在 EUV 技術和下一代半導體設備研發方面的合作。在全球半導體產業競爭加劇的背景下，High-NA EUV 的戰略意義重大，各方都積極佈局。
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