聯電針對高功率應用開發的 8 吋 GaN on QST 方案，主要目標市場為何？

聯電8吋GaN on QST方案的主要目標市場

聯電開發的8吋GaN on QST（氮化鎵於QST基板上）方案，主要鎖定高功率應用市場，具體而言，目標應用包括650～1,200V的高功率需求，例如：

• 高鐵： 高速鐵路系統需要高效能的功率元件來控制和轉換電力，GaN on QST方案能滿足其高功率需求。
• 電動車： 電動車的充電系統、動力系統等都需要高效率的功率元件，GaN on QST方案能提供所需的性能。

聯電氮化鎵技術平台發展策略

聯電與IMEC合作，致力於將第三類半導體技術平台化，初期以氮化鎵技術為主，並分為兩個主要方向：

• 矽基氮化鎵（GaN on Si）： 主要目標是消費性功率元件代工市場，提供6吋晶圓方案。
• GaN on QST： 鎖定高功率應用，提供8吋晶圓方案。

未來發展與合作

聯電預期碳化矽基氮化鎵（GaN on SiC）將用於射頻元件，作為5G通訊的關鍵元件。在封測方面，聯電表示會與頎邦多交流，未來不排除與多家封測廠合作，顯示其開放的合作態度。