聯電在 5G 通訊領域，對於碳化矽基氮化鎵（GaN on SiC）的布局有何考量？

聯電在 5G 通訊中碳化矽基氮化鎵 (GaN on SiC) 的布局考量

聯電初期專注於功率和射頻元件的氮化鎵 (GaN) 技術開發，透過與 IMEC 的合作建立標準化平台，為 IC 設計業者提供更便捷的方案。在 5G 通訊領域，聯電雖關注碳化矽基氮化鎵 (GaN on SiC) 在射頻元件的應用，但因碳化矽基板取得不易，主要掌握在國際大廠手中，聯電仍計劃在此領域進行布局，以滿足未來 5G 通訊對高性能射頻元件的需求。

QST 基板的應用與優勢

聯電計劃採用 Qromis 研發的 QST（Qromis Substrate Technology）基板，開發 8 吋 GaN on QST 方案，目標是鎖定 650～1,200V 的高功率應用市場，如高鐵、電動車等。相較於初期以矽基氮化鎵（GaN on Si）技術為主，切入消費性功率元件代工市場，QST 基板能夠提供更高的功率處理能力和更好的散熱性能，滿足高功率應用的需求，使聯電能夠在高功率領域提供更具競爭力的解決方案。

聯電的氮化鎵技術發展藍圖

聯電也自行研發氮化鎵磊晶技術，並計劃與多家封測廠合作，以提供更完整的解決方案，顯示其在氮化鎵技術領域的長遠發展規劃。 聯電的多元布局不僅體現在基板選擇上，還包括與不同夥伴的合作，旨在建立更全面的氮化鎵技術生態系統。