碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）在磊晶代工上的技術門檻與成本結構有何不同？

Question

碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）磊晶代工的技術門檻差異

Accepted Answer

碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）皆為第三代半導體材料，但其磊晶代工的技術門檻有所不同。氮化鎵磊晶製程中，需將氮化鎵磊晶層成長在矽晶圓基板上，但由於氮化鎵和矽的晶格結構差異大，易在製作過程中產生翹曲和破片問題，導致量產難度較高。此外，碳化矽晶圓的製造原料多仰賴進口，進而影響其製造成本。