微矽電子在氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）測試技術上，相比同業的領先優勢是什麼？

Question

微矽電子在GaN與SiC測試技術上的領先優勢

Accepted Answer

微矽電子在氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）的測試、薄化與切割技術上，領先同業約3至5年。這項領先地位是透過長達10年的研發努力所累積，初期開發雖具挑戰性，但微矽電子成功掌握第三代半導體的均勻度和良率，使其測試與切割技術具備高度技術含量。微矽電子已成功打入全球市佔率最高的氮化鎵大廠Navitas以及英飛凌（Infineon）的供應鏈，並擴及MOSFET、IGBT以及微控制器（MCU）等封裝測試產品線。

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微矽電子在氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）測試技術上，相比同業的領先優勢是什麼？

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